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标题: FMC—读写SDRAM-W9825G6KH-6 [打印本页]
作者: 阿里兄    时间: 2019-12-20 14:34
标题: FMC—读写SDRAM-W9825G6KH-6
FMC—读写SDRAM-W9825G6KH-6
一些注意事项，后面直接看代码
1、W9825G6KH是行地址(row)13bit，列地址(column)9bit，数据16位，4banks，总共32M字节，166MHz/CL3 or 133MHz/CL2，0°C ~ 70°C。
2、可配置为SDRAM1或SDRAM2，SDRAM1地址为0xC0000000，SDRAM2地址为0xD0000000。
3、配置为SDRAM1或2，需与后面配置的自刷新BANK号需一致，否则读写不到数据。
4、地址宽度要配置正确，否则读写会卡死。
5、配置的SDRAM时钟为2分频，即216M/2=108M，一个周期为1000/109=9.259ns==9.3ns。


缩写解析：
CL      ＝  CAS Latency
tRSC   =  Mode register Set Cycle Time, 加载模式寄存器命令后的延迟
tXSR   =  Exit self refresh to ACTIVE command, 自刷新命令后的延迟
tRAS   =  Active to precharge Command Period, 自刷新时间
tRC     =  Ref/Active to Ref/Active Command Period, 行循环延迟
tWR   ＝Write Recovery Time，恢复延迟
tRP     = Precharge to Active Command Period, 行预充电延迟
tRCD  = Active to Read/Write Command Delay Time, 行到列延迟


SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2;          = tMRD或tRSC, = 2 tCK, 即最少2个时钟周期
SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 8;        = tXSR, = 72ns, 此处8*9.3＝74ns。
SdramTiming.SelfRefreshTime = 5;               = tRAS, = 42ns, 此处5*9.3＝46.5ns。
SdramTiming.RowCycleDelay = 7;                 = tRC, = 60ns, 此处7*9.3＝65ns。
SdramTiming.WriteRecoveryTime = 2;         ＝  tWR, ＝2 tCK，即最少2个时钟周期
SdramTiming.RPDelay = 2;                            = tRP, = 15ns，此处2*9.3＝18ns。
SdramTiming.RCDDelay = 2;                         ＝ tRCD, = 15ns，此处2*9.3＝18ns。



配置上电时序，需在SDRAM配置后再调用。
  1. void SDRAM_Init_Sequence(uint32_t RefreshCount)
  2. {
  3.   __IO uint32_t tmpmrd = 0;
  4.   FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command;
  5.   
  6.   /* Step 1: Configure a clock configuration enable command */
  7.   Command.CommandMode            = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;
  8.   Command.CommandTarget          = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
  9.   Command.AutoRefreshNumber      = 1;
  10.   Command.ModeRegisterDefinition = 0;

  12.   /* Send the command */
  13.   HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);

  15.   /* Step 2: Insert 100 us minimum delay */
  16.   /* Inserted delay is equal to 1 ms due to systick time base unit (ms) */
  17.   HAL_Delay(100);
  18.    
  19.   /* Step 3: Configure a PALL (precharge all) command */
  20.   Command.CommandMode            = FMC_SDRAM_CMD_PALL;
  21.   Command.CommandTarget          = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
  22.   Command.AutoRefreshNumber      = 1;
  23.   Command.ModeRegisterDefinition = 0;

  25.   /* Send the command */
  26.   HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);  
  27.   
  28.   /* Step 4: Configure an Auto Refresh command */
  29.   Command.CommandMode            = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;
  30.   Command.CommandTarget          = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
  31.   Command.AutoRefreshNumber      = 8;
  32.   Command.ModeRegisterDefinition = 0;

  34.   /* Send the command */
  35.   HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
  36.   
  37.   /* Step 5: Program the external memory mode register */
  38.   tmpmrd = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1          |\
  39.                      SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL   |\
  40.                      SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3           |\
  41.                      SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |\
  42.                      SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;
  43.   
  44.   Command.CommandMode            = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;
  45.   Command.CommandTarget          = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
  46.   Command.AutoRefreshNumber      = 1;
  47.   Command.ModeRegisterDefinition = tmpmrd;

  49.   /* Send the command */
  50.   HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
  51.   
  52.   /* Step 6: Set the refresh rate counter */
  53.   /* Set the device refresh rate */
  54.   HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1, RefreshCount);
  55. }
复制代码


CUBEMX配置
(, 下载次数: 803)

时序表
(, 下载次数: 817)

测试结果
(, 下载次数: 800)

工程代码： (, 下载次数: 1185)





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