FMC—读写SDRAM-W9825G6KH-6

阿里兄

FMC—读写SDRAM-W9825G6KH-6
一些注意事项，后面直接看代码
1、W9825G6KH是行地址(row)13bit，列地址(column)9bit，数据16位，4banks，总共32M字节，166MHz/CL3 or 133MHz/CL2，0°C ~ 70°C。
2、可配置为SDRAM1或SDRAM2，SDRAM1地址为0xC0000000，SDRAM2地址为0xD0000000。
3、配置为SDRAM1或2，需与后面配置的自刷新BANK号需一致，否则读写不到数据。
4、地址宽度要配置正确，否则读写会卡死。
5、配置的SDRAM时钟为2分频，即216M/2=108M，一个周期为1000/109=9.259ns==9.3ns。


缩写解析：
CL      ＝  CAS Latency
tRSC   =  Mode register Set Cycle Time, 加载模式寄存器命令后的延迟
tXSR   =  Exit self refresh to ACTIVE command, 自刷新命令后的延迟
tRAS   =  Active to precharge Command Period, 自刷新时间
tRC     =  Ref/Active to Ref/Active Command Period, 行循环延迟
tWR   ＝Write Recovery Time，恢复延迟
tRP     = Precharge to Active Command Period, 行预充电延迟
tRCD  = Active to Read/Write Command Delay Time, 行到列延迟


SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2;          = tMRD或tRSC, = 2 tCK, 即最少2个时钟周期
SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 8;        = tXSR, = 72ns, 此处8*9.3＝74ns。
SdramTiming.SelfRefreshTime = 5;               = tRAS, = 42ns, 此处5*9.3＝46.5ns。
SdramTiming.RowCycleDelay = 7;                 = tRC, = 60ns, 此处7*9.3＝65ns。
SdramTiming.WriteRecoveryTime = 2;         ＝  tWR, ＝2 tCK，即最少2个时钟周期
SdramTiming.RPDelay = 2;                            = tRP, = 15ns，此处2*9.3＝18ns。
SdramTiming.RCDDelay = 2;                         ＝ tRCD, = 15ns，此处2*9.3＝18ns。



配置上电时序，需在SDRAM配置后再调用。

1. void SDRAM_Init_Sequence(uint32_t RefreshCount)
   
2. {
   
3.   __IO uint32_t tmpmrd = 0;
   
4.   FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command;
   
5.   
   
6.   /* Step 1: Configure a clock configuration enable command */
   
7.   Command.CommandMode            = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;
   
8.   Command.CommandTarget          = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
   
9.   Command.AutoRefreshNumber      = 1;
   
10.   Command.ModeRegisterDefinition = 0;
    
11. 
    
12.   /* Send the command */
    
13.   HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
    
14. 
    
15.   /* Step 2: Insert 100 us minimum delay */
    
16.   /* Inserted delay is equal to 1 ms due to systick time base unit (ms) */
    
17.   HAL_Delay(100);
    
18.    
    
19.   /* Step 3: Configure a PALL (precharge all) command */
    
20.   Command.CommandMode            = FMC_SDRAM_CMD_PALL;
    
21.   Command.CommandTarget          = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
    
22.   Command.AutoRefreshNumber      = 1;
    
23.   Command.ModeRegisterDefinition = 0;
    
24. 
    
25.   /* Send the command */
    
26.   HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);  
    
27.   
    
28.   /* Step 4: Configure an Auto Refresh command */
    
29.   Command.CommandMode            = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;
    
30.   Command.CommandTarget          = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
    
31.   Command.AutoRefreshNumber      = 8;
    
32.   Command.ModeRegisterDefinition = 0;
    
33. 
    
34.   /* Send the command */
    
35.   HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
    
36.   
    
37.   /* Step 5: Program the external memory mode register */
    
38.   tmpmrd = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1          |\
    
39.                      SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL   |\
    
40.                      SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3           |\
    
41.                      SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |\
    
42.                      SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;
    
43.   
    
44.   Command.CommandMode            = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;
    
45.   Command.CommandTarget          = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
    
46.   Command.AutoRefreshNumber      = 1;
    
47.   Command.ModeRegisterDefinition = tmpmrd;
    
48. 
    
49.   /* Send the command */
    
50.   HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
    
51.   
    
52.   /* Step 6: Set the refresh rate counter */
    
53.   /* Set the device refresh rate */
    
54.   HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1, RefreshCount);
    
55. }

复制代码

CUBEMX配置


时序表


测试结果


工程代码： F750_SDRAM.rar (965.19 KB, 下载次数: 1541)

2019-12-20 14:31 上传

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